带你深入了解选择性原子层沉积技术
2018-06-19
很多涉及原子层沉积技术(ALD)的人都知道,选择性原子层沉积是当今热议的话题。各类论文、研讨会和博文层出不穷,详尽地解释了各种可以达到选择性生长目的的新方法。从某种意义上说,选择性ALD运用了长期困扰ALD使用者的效应,即由于ALD的化学反应特性,薄膜生长的成核现象取决于基底表面。通常来说,在ALD领域人们已经在研究如何尽可能减小这种影响。例如,等离子体ALD一般会有可忽略不计的延迟,但对于选择性ALD来说,成核延迟现象却被放大了。
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