我国在片2mmS参数校准技术研究取得突破

      近日，航天科工二院203所在2mm频段在片校准技术研究中取得突破，达到国内领先水平。提升在片S参数校准能力对于提高我国毫米波器件设计制造水平有着重要的意义，该技术将在车载雷达、跑道异物检测、风云三号气象探测有所应用，具有一定经济效益和社会效益。
      在片S参数是衡量裸芯片电特性的一个极其重要的指标，它涵盖了反射与传输特性、幅度与相位特性，能对绝大多数在片器件，如低噪声放大器、功率单片等裸芯片的电特性进行完全的表征。随着我国毫米波设计制造水平的不断提升，目前以实现国产化的毫米波器件有几十个种类的上百种型号。但相比于国际上先进国家的设计制造水品，我国自行设计研制的毫米波元器件的性能指标还存在着一定的差距。
      开展片上电路的S参数的计量校准工作，能够保证量值溯源的准确性，满足溯源需求，对国内在片S参数测量校准工作加以规范。在片S参数测量能够跟踪服务于产品的设计、定型、生产的全过程，确保在片上管芯的研制设计阶段，就对该产品的S参数特性有着准确的测量，避免封装后测量时封装和测试架的影响，确保了产品的质量，并缩短了产品的研制周期。

      项目负责人陈婷介绍道，今后203所将全面铺开在片S参数校准，申报国家校准检测能力认可，继续开拓计量校准能力市场。